IBM переходит на 0,7 нм: архитектура Nanostack в деле

Инженеры компании реализовали трехмерную компоновку элементов, позволяющую наращивать мощность за счет вертикального размещения слоев. Такой подход дает до 50% прироста скорости вычислений или снижает энергопотребление на 70% относительно 2-нм решений, показанных в 2021 году. Дополнительный бонус — сокращение площади памяти SRAM на 40%, что станет критическим преимуществом для облачных вычислений и обучения нейросетей.

Технология уже прошла стадию лабораторных тестов и способна выполнять реальные задачи. Несмотря на успех эксперимента, до появления первых коммерческих устройств пройдет около пяти лет. Это достижение знаменует очередной виток гонки за плотность размещения транзисторов, где каждый ангстрем становится определяющим фактором для индустрии ИИ.